Используя управление электрическим потенциалом вместо управления электрическим током, исследователям из Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе удалось сделать кардинальные усовершенствования технологии сверхскоростной и высокопроизводительной магниторезистивной памяти с произвольным доступом(magnetoresistive random access memory, MRAM). Новый тип памяти получил название MeRAM(magnetoelectric random access memory), и у этой технологии имеется огромный потенциал для того, что бы стать основой новых микросхем оперативно-постоянной памяти для смартфонов, SSD-дисков, планшетных и обычных компьютеров.
Технология памяти MeRAM отличается низким потреблением энергии в сочетании очень высокой плотностью хранения информации, быстродействием, малыми значениями чтения и записи информации. Но самым основным ее«коньком» является энергонезависимость — способность хранения информации в то время, когда эта память не подключена к внешнему источнику энергии.
Современные технологии магнитной и магниторезистивной памяти основаны на использовании электрического заряда электронов с его моментом вращения, спином,(spin-transfer torque, STT). Но такая память все еще требует достаточно большого количества энергии и плотность хранения информации ограничена тем, что нельзя физически располагать ячейки памяти близко друг к другу.
В технологии MeRAM управление электрическим током, такое как используется в технологии STT, заменена управлением электрическим напряжением, разностью потенциалов. Это избавляет от необходимости перемещать большие группы электронов через проводники, делая такую систему в 10-1000 раз более эффективную с точки зрения потребляемой энергии. Отсутствие электрического тока обуславливает отсутствие выделяющегося паразитного тепла, что позволяет сделать память MeRAM в пять раз более плотной, нежели обычная память STT. «Реализованная способность переключения наноразмерных магнитов с помощью электрического потенциала является перспективным направлением исследований в области магнетизма и электромагнетизма, которая может быть использована не только в технологиях компьютерной памяти» — рассказывает Педрэм Хэлили(Pedram Khalili), научный сотрудник Калифорнийского университета. —«Мы надеемся, что в ближайшем будущем технология MeRAM воплотится в виде реального продукта, который продемонстрирует все преимущества MeRAM перед MRAM. Благодаря эти преимуществам память MeRAM может быть успешно использована в тех областях, где самыми главными критериями являются низкая стоимость и высокая производительность».
В феврале 2000-го года ушел из жизни выдающийся ученый и основатель нашего журнала Никита Николаевич Моисеев. Публикуем статью написанную его учеником — Владимиром Александровым, по следам событий 1983 года, когда группа советских ученых была приглашена вместе со своими американскими коллегами выступить в сенате США и официально засвидетельствовать прогнозы о климатических и других глобальных последствиях ядерной войны.Никогда — ни до, ни после этих событий, российских ученых не приглашали давать официальные показания в высшем законодательном органе США.
В декабре человечество, наконец, получило то, чего ученые-астрономы ждали почти вечность: точное расстояние от Земли до звезд. Однако, как часто бывает в науке, новые данные породили предположение о наличии ранее неизвестной загадки, решение которой может стать«открытием века».
