Используя управление электрическим потенциалом вместо управления электрическим током, исследователям из Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе удалось сделать кардинальные усовершенствования технологии сверхскоростной и высокопроизводительной магниторезистивной памяти с произвольным доступом(magnetoresistive random access memory, MRAM). Новый тип памяти получил название MeRAM(magnetoelectric random access memory), и у этой технологии имеется огромный потенциал для того, что бы стать основой новых микросхем оперативно-постоянной памяти для смартфонов, SSD-дисков, планшетных и обычных компьютеров.
В феврале 2000-го года ушел из жизни выдающийся ученый и основатель нашего журнала Никита Николаевич Моисеев. Публикуем статью написанную его учеником — Владимиром Александровым, по следам событий 1983 года, когда группа советских ученых была приглашена вместе со своими американскими коллегами выступить в сенате США и официально засвидетельствовать прогнозы о климатических и других глобальных последствиях ядерной войны.Никогда — ни до, ни после этих событий, российских ученых не приглашали давать официальные показания в высшем законодательном органе США.
В декабре человечество, наконец, получило то, чего ученые-астрономы ждали почти вечность: точное расстояние от Земли до звезд. Однако, как часто бывает в науке, новые данные породили предположение о наличии ранее неизвестной загадки, решение которой может стать«открытием века».
