Официальный сайт журнала "Экология и Жизнь"
You need to upgrade your Flash Player or to allow javascript to enable Website menu.
Get Flash Player  
Всё об экологии ищите здесь:
  Сайт функционирует при финансовой поддержке Федерального агентства по печати и массовым коммуникациям  
Сервисы:
Каналы:
Каналы:
Блоги:
Дайджесты,
Доклады:

ЭКО-ВИДЕО



Реклама


Translate this page
into English

Translate.Ru PROMT©


Система Orphus


Главная О НАС / ABOUT US Статьи Памяти Жореса Алферова /Флагман электроники

Памяти Жореса Алферова /Флагман электроники

Памяти Жореса Алферова /Флагман электроники

Отзыв коллеги — Алана Хигера, лауреата Нобелевской премии по химии (США) о Жоресе Алферове. « Нобелевский лауреат не только почетное звание, это некий статус, имея который, человек получает возможность быть услышанным. Его мнению доверяют и в самых высоких кругах, и обычные граждане. Долг ученого – просвещать население, а не вести исключительно затворнический образ жизни. У вас в стране этим занимается Жорес Алфёров. И в этом его громадная заслуга. Ресурсы Земли иссякают. Для России это еще не так явно, как для других стран, которые уже ощутили кризис. И нам нужны альтернативные источники энергии. Большинство обычных людей воспринимают эти слова как некие страшилки от ученых. Они к ним если и прислушиваются, то думают, что проблема их не коснется, а настигнет планету через много поколений. Донести мысль, что это не так, под силу только ученым.. Встречи нобелевских лауреатов с Санкт-Петербурге — это заслуга Жореса Алфёрова. Он проводит колоссальную работу по поддержанию и продвижению науки в своей стране.»

Создание полупроводникового лазера

Задача прямого преобразования электричества в «технический» свет — когерентное квантовое излучение — оформилась как направление квантовой электроники, родившейся в 1953–1955 гг. Первая работа о возможности использования полупроводников для создания лазера была опубликована в 1959 г. Н.Г. Басовым, Б.М. Вулом и Ю.М. Поповым. В дальнейшем Басовым и его сотрудниками было предложено применение р–n-переходов для этих целей  (работа 1961 г. написана  Н.Г. Басовым, О.Н. Крохиным, Ю.М. Поповым).  Однако практически полупроводниковый лазер на кристалле GaAs впервые был создан в 1962 г. в США при участии Р. Холла, М.И. Нейтена и Н. Холоньяка. Но поиски материала для полупроводникового лазера начались во всем мире с 1961 года. В Ленинградском Физтехе в этих поисках участвовал будущий Нобелевский лауреат Ж.И. Алферов, который подал заявку на изобретение полупроводникового лазера совместно с теоретиком Р.И. Казариновым в 1963 году; они предложили использовать гетероструктуры для  полупроводниковых лазеров. Идея основана на том, что многие полупроводниковые материалы типа АIIIВV образуют  между собой непрерывный ряд твердых растворов — тройных и более сложных (AlxGa1-xN и InxGa1–xN, GaAsxP1-x, GaxIn1-xP, GaxIn1-xAsyP1-y и т. п.), которые легко сопрягаются друг с другом из-за близости параметра кристаллической решетки.  На основе этих твердых растворов и сформировалось направление гетероструктурной микроэлектроники,  тогда как традиционно развитие шло по пути, который  можно назвать моно и гомогенной электроникой. Алферов,  любивший рассказывать «байки» из научной жизни и всегда выводивший из них некоторую мораль, как-то  сказал такую фразу: «Нормально — это когда гетеро, а не гомо. Гетеро — это нормальный путь развития природы».   Датой обнаружения лазерного эффекта на гетеропереходе является 13 сентября 1967 года. Для этого был использован трехкомпонентный полупроводник, созданный в соседней лаборатории Н.А.Горюновой, которая в дальнейшем сформулировала идею «периодической системы полупроводниковых соединений», основанную на твердых растворах. Первый работающий гетеролазер были создан в 1968 году, а в 1972 году состоялось вручение Ленинской премии авторскому коллективу, в состав которого, помимо Ж.И. Алферова, вошли В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, В.И. Корольков, Д.Н. Третьяков и В.И. Швейкин.

На фоне развернувшейся с начала 60-х годов «лазерной» гонки почти незаметно возникли светодиоды, которые тоже производили свет заданного спектра, но не обладающий строгой когерентностью. Наиболее известное применение светодиодов сегодня — замена ламп накаливания на светодиодные и дисплеи ноутбуков, мобильных телефонов и навигаторов. Общая идея дальнейшего развития «технического света» — создание новых материалов для светодиодной и лазерной техники.

Работа в области солнечной энергетики:

Имя Жореса Алферова связано с разработками солнечных элементов с 1955 года, когда научной базой для создания отечественных солнечных батарей стала разработка учеными ФТИ им. Иоффе технологии фото-диодов с p-n-переходами на германии (Ж.И. Алферов,С.М. Рывкин, 1955) и кремнии (В.М. Тучкевич, В.Е. Челноков, 1957). В кремниевых солнечных элементах был достигнут КПД = 8%, при этом к 1958 году в отечественных разрабоках был получен эффект радиационной стойкости, который в США смогли повторить лишь в 1961 году.

В дополнение к «классическим» полупроводниковым материалам — германию и кремнию, с 1950 года в ФТИ начался синтез и исследования материалов типа А3В5. Солнечный элемент, выполненный на гетеропереходе из наиболее известного соединения А3В5 — арсенида галлия (GaAs), лидировал по эффективности и широко использовался в космических аппаратах. В частности они обеспечили электроснабжение советского космического аппарата «Венера-4» (1967 год), работавшего в окрестностях «горячей» планеты Венера, а также самоходных аппаратов «Луноход-1» (1970 год) и «Луноход-2» (1973 год). МКС «Мир» также снабжалась энергией от элементов из арсенида галлия. Однако при всех достоинствах высокая стоимость делала «земные» рынки  практически недоступными для солнечных элементов из арсенида галлия. В последние годы надежды возлагают на технологию тонких пленок, которая позволит уменьшить расход материала. В настоящее время эффективность до 28% продемонстрирована на солнечных батареях GaAs, а для снижения стоимости ведутся эксперименты с гетеропереходами в виде тонких пленок.

Солнечный элемент на гетеропереходе GaAs–AlGaAs был впервые разработан в 1969 году Жоресом Алферовым и В.И. Андреевым в Советском Союзе. Но еще раньше Алферов с помощью соединений арсенида галлия добился генерации не только электричества, но и света — в 1968 году он создал первый полупроводниковый лазер на гетеропереходе. В результате Алферов — единственный человек, получивший как орден Ленина, так и Нобелевскую премию, за его многочисленные достижения.

 

См. Также  — Доклад-презентация Алферова в Потсдаме в 2007 году: Is Solar Energy Conversion an Option to Solve the Energy Problem.

Подробнее об истории разработок и международной борьбе за лидерство в солнечной области можно прочесть в книге «Триумф солнечного века».

АлферовExlibrisмысливыступление 

03.03.2019, 11859 просмотров.


Нравится

SKOLKOVO
26.06.2019 17:20:21

ЛИЦЕЮ "ФТШ" ПРИСВОЕНО ИМЯ ЖОРЕСА АЛФЕРОВА!

Последний звонок прозвучал 25 мая для учащихся трех 11-х классов Лицея «Физико-техническая школа», где заканчивают учебу около шестидесяти школьников. Этот день, как всегда в конце мая, был торжественным и радостным, полным надежд и волнений, связанным с близким началом взрослой жизни.

Алферов, выпускники, образование

30.04.2019 20:40:14

В «Сколково» появится Парк наук имени Жореcа Алферова

В Инновационном центре «Сколково» планируется открыть Парк наук и присвоить ему имя лауреата Нобелевской премии, академика Жореса Алферова.

Жорес Алферов, фонд, Сколково»

16.02.2018 11:01:00

Блокчейн для дистрибуции кино / TVZavr на Берлинале

Резидент «Сколково» представил на Берлинале новую технологическую платформу для киноиндустрии

технологии, киноиндустрия, платформа, Сколково

14.02.2018 08:19:00

Год Японии в России /Инновационное сотрудничество/Семинар в Сколково

В технопарке «Сколково» прошел семинар «Россия – Япония: коммерциализация технологических инноваций – перспективы сотрудничества», организованный Фондом «Сколково» и ROTOBO, Японской ассоциацией по торговле с Россией и новыми независимыми государствами. Представители «Сколково» и РВК обсудили с сотрудниками японских стартапов, инкубаторов и институтов развития особенности подхода к инновационному бизнесу и перспективы выхода российских стартапов на рынок Страны восходящего солнца.

Инновации, технологии, перспективы, сотрудничество, страны, Россия, семинар, Сколково

15.11.2017 00:06:37

Suvorov Prize - инновационная премия вручена в 7-ой раз / Швейцарско-российская премия имени Суворова

Конкурс изобретений «Эврика» теперь будет получать проекты российско-швейцарского сотрудничества.  В финал вышли пять проектов из России и Швейцарии из различных областей — это биотехнологии,медицинские технологии, и информационные технологии.

Suvorov Prize

02.11.2017 16:41:25

Разработка российских ученых по очистке воды от нефти запатентована в США

Екатеринбургская компания «НПО БиоМикроГели» (резидент «Сколково» и технопарка «Университетский») подтвердила авторство своих изобретений в Соединенных Штатах Америки. В этой стране завершена национальна фаза патентования нескольких технологий уральских ученых с применением биомикрогелей.

разработка

07.10.2017 00:14:10

Собирать или не собрать (данные)? Быть или не быть официальному интернет "просвечиванию".

Московский арбитражный суд не стал запрещать использование открытых персональных данных пользователей социальной сети «ВКонтакте» для оценки их кредитоспособности.

ВКонтакте

RSS
Архив "SKOLKOVO UNIT"
Подписка на RSS
Реклама: